PBSS9110Y T/R datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  PBSS9110Y T/R
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors PBSS9110Y T/R Collector- Base Voltage Vcbo: 120 V Collector- Emitter Voltage Vceo Max: 100 V Collector-emitter Saturation Voltage: 5 V Configuration: Single Continuous Collector Current: 1 A Dc Collector/base Gain Hfe Min: 150 at 1 mA at 5 V Emitter- Base Voltage Vebo: 5 V Factory Pack Quantity: 3000 Gain Bandwidth Product Ft: 100 MHz Maximum Operating Temperature: + 150 C Maximum Power Dissipation: 625 mW Minimum Operating Temperature: - 65 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: UMT Part # Aliases: PBSS9110Y,115 Product Category: Transistors Bipolar - BJT Rohs: yes Transistor Polarity: PNP
• Количество страниц
  13 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  150,33 KB

PBSS9110Y T/R datasheet скачать

PBSS9110Y T/R datasheet